離子源

OIS-One/OIS-Two/OIS-Two Plus

17cm RF Ion Source

OIS-One是光(guang)(guang)馳(chi)(chi)自行開發的(de)離(li)子(zi)輔助蒸度高性(xing)能射頻（RF）離(li)子(zi)源，適應于在(zai)(zai)高速率下(xia)(xia)的(de)離(li)子(zi)束(shu)輔助沉積（IAD）及清洗。搭載在(zai)(zai)光(guang)(guang)馳(chi)(chi)的(de)成膜設備OTFC-1100,OTFC-1300上適于各種光(guang)(guang)學濾光(guang)(guang)片的(de)中(zhong)規模(mo)量(liang)產(chan)。 OIS-Two Plus是OIS-Two的(de)延伸機(ji)型。在(zai)(zai)離(li)子(zi)輔助蒸鍍大(da)電(dian)流(liu)大(da)面(mian)積的(de)性(xing)能方面(mian)加以進化的(de)RF離(li)子(zi)源，維護性(xing)能的(de)優(you)化及中(zhong)和器的(de)改良，提(ti)高冷卻(que)效率來(lai)達到穩定生產(chan)的(de)效果。適用(yong)于在(zai)(zai)高速率下(xia)(xia)離(li)子(zi)束(shu)輔助沉積（ＩＡＤ）及清洗。搭載在(zai)(zai)光(guang)(guang)馳(chi)(chi)的(de)ＯＴＦＣ-1300，ＯＴＦＣ-1550成膜設備上可(ke)適合于各種光(guang)(guang)學濾光(guang)(guang)片的(de)大(da)規模(mo)量(liang)產(chan)。

特征
同(tong)使用燈(deng)絲(si)型的離子(zi)源(yuan)比較，壽命長，污染少。
高離子電(dian)流密(mi)度和均勻分(fen)布(bu)，照(zhao)射面(mian)積能(neng)達到Ф1150mm以上
動作(zuo)安定性(xing)高，能長時間運轉
規格
型號 OIS-One OIS-Two OIS-Two Plus
尺寸(cun) φ300mm × 150mm (H)
柵網尺(chi)寸(cun) Ф 17cm(Molybdenum制3枚)
離子束電壓(ya) 100V～1500V
離(li)子(zi)束電(dian)流(liu) 1000mA 1200mA
Acc電(dian)壓(ya) 100V～1000V
RF功率 600W 750W 1000W
氣體(ti)流量 20sccm～30sccm（氬氣）40sccm～60sccm（氧氣）
使(shi)用壓(ya)力 5 × 10-2 Pa
水(shui)冷(leng)方(fang)式 RF線(xian)圈和本體
中和器規格
尺寸 φ 6cm × 8cm