離子源

OIS-One/OIS-Two/OIS-Two Plus

17cm RF Ion Source

OIS-One是(shi)光(guang)馳(chi)自(zi)行開(kai)發的(de)(de)(de)離(li)(li)(li)子(zi)輔(fu)助(zhu)蒸(zheng)度高(gao)性(xing)(xing)能射頻（RF）離(li)(li)(li)子(zi)源，適應(ying)于(yu)在(zai)高(gao)速(su)率下(xia)(xia)的(de)(de)(de)離(li)(li)(li)子(zi)束輔(fu)助(zhu)沉(chen)積(ji)(ji)（IAD）及清洗。搭載在(zai)光(guang)馳(chi)的(de)(de)(de)成(cheng)膜(mo)設備OTFC-1100,OTFC-1300上(shang)適于(yu)各(ge)種(zhong)光(guang)學濾光(guang)片(pian)的(de)(de)(de)中規模(mo)量(liang)產(chan)。 OIS-Two Plus是(shi)OIS-Two的(de)(de)(de)延伸機型。在(zai)離(li)(li)(li)子(zi)輔(fu)助(zhu)蒸(zheng)鍍大(da)(da)電(dian)流(liu)大(da)(da)面積(ji)(ji)的(de)(de)(de)性(xing)(xing)能方面加以進化的(de)(de)(de)RF離(li)(li)(li)子(zi)源，維護(hu)性(xing)(xing)能的(de)(de)(de)優化及中和器的(de)(de)(de)改良，提高(gao)冷卻效率來達到穩定生產(chan)的(de)(de)(de)效果。適用于(yu)在(zai)高(gao)速(su)率下(xia)(xia)離(li)(li)(li)子(zi)束輔(fu)助(zhu)沉(chen)積(ji)(ji)（ＩＡＤ）及清洗。搭載在(zai)光(guang)馳(chi)的(de)(de)(de)ＯＴＦＣ-1300，ＯＴＦＣ-1550成(cheng)膜(mo)設備上(shang)可適合于(yu)各(ge)種(zhong)光(guang)學濾光(guang)片(pian)的(de)(de)(de)大(da)(da)規模(mo)量(liang)產(chan)。

特征
同使用燈絲型的(de)離子源(yuan)比較，壽命長，污染少(shao)。
高離子電流密度和均勻分布，照(zhao)射面積能(neng)達到Ф1150mm以(yi)上
動(dong)作安定性高，能長時間運轉
規格
型號 OIS-One OIS-Two OIS-Two Plus
尺(chi)寸 φ300mm × 150mm (H)
柵網(wang)尺寸(cun) Ф 17cm(Molybdenum制3枚)
離子束電壓 100V～1500V
離子(zi)束電流 1000mA 1200mA
Acc電壓 100V～1000V
RF功率 600W 750W 1000W
氣體(ti)流量(liang) 20sccm～30sccm（氬氣）40sccm～60sccm（氧氣）
使用壓力(li) 5 × 10-2 Pa
水冷方(fang)式 RF線圈和(he)本體
中和器規格
尺寸 φ 6cm × 8cm